存储大厂公布先进制程DRAM进展

随着AI、大数据等技术不断普及，业界对DRAM芯片要求持续上升，为提升性能与容量，存储器大厂纷纷瞄准先进制程技术。

近期，美光对外透露了先进DRAM技术进展。日媒报道，12月13日美光日本法人高层Joshua Lee对外表示，美光日本广岛工厂将在2025年生产最先进存储器1γ DRAM。Joshua Lee指出，美光将成为第一家将EUV（极紫外光）光刻机导入日本的半导体企业。此外，美光还计划在广岛工厂生产生成式AI用HBM。

稍早之前，美光还对外透露，1α与1β DRAM以及176、232层NAND Flash占据位元出货主力，美光首次采用极紫外光制程技术的1γ DRAM进展顺利，预计2025年量产。下一代NAND Flash同样进展顺利。

其他厂商方面，今年5月30日，SK海力士宣布已完成现有DRAM中最为微细化的第五代10纳米级（1b）技术研发，并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供于英特尔公司（Intel®）开始了“英特尔数据中心存储器认证程序。该公司表示，明年上半年将把1b工艺扩大适用于LPDDR5T、HBM3E等高性能产品。