News Detail

存储大厂公布先进制程DRAM进展

12
Issuing time:2023-12-14 16:32Author:glochip.comSource:www.globalizex.com/news/Link:https://www.glochip.com/news/

随着AI、大数据等技术不断普及,业界对DRAM芯片要求持续上升,为提升性能与容量,存储器大厂纷纷瞄准先进制程技术。

近期,美光对外透露了先进DRAM技术进展。日媒报道,12月13日美光日本法人高层Joshua Lee对外表示,美光日本广岛工厂将在2025年生产最先进存储器1γ DRAM。Joshua Lee指出,美光将成为第一家将EUV(极紫外光)光刻机导入日本的半导体企业。此外,美光还计划在广岛工厂生产生成式AI用HBM。

稍早之前,美光还对外透露,1α与1β DRAM以及176、232层NAND Flash占据位元出货主力,美光首次采用极紫外光制程技术的1γ DRAM进展顺利,预计2025年量产。下一代NAND Flash同样进展顺利。

其他厂商方面,今年5月30日,SK海力士宣布已完成现有DRAM中最为微细化的第五代10纳米级(1b)技术研发,并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供于英特尔公司(Intel®)开始了“英特尔数据中心存储器认证程序。该公司表示,明年上半年将把1b工艺扩大适用于LPDDR5T、HBM3E等高性能产品。


Home                                    Product                                        News                                   About                                        Contact
Tel: +86-0755-84866816  
Tel: +86-0755-84828852
Mail:  kevin@glochip.com
Web:  www.chip.com.hk
Rm401.1st Building, Dayun software Longgang Avenue, Longgang district,Shenzhen
全球芯微信公众号
Samsung Micron SKhynix Kingston Sandisk  Kioxia Nanya Winbond MXIC ESMT Longsys Biwin HosgingGlobal  BoyaMicro  Piecemakers Rayson  Skyhigh  Netsol

SRAM MRAM SDRAM DDR1 DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 LPDDR3 LPDDR4 LPDDR4X LPDDR5 LPDDR5X NAND NOR eMMC UFS eMCP uMCP SSD Module